10. CLEANING 주요 모듈

CLEANING 장비의 종류

 

Immersion Tank Type

반도체 직접회로의 웨이퍼 표면을 세정하기 위한 화학적 습식 CLEANING 방법으로 RCA 세정과 함께 발달되어져 온 가장 기본적인 세정 장치 방식

Batch Type으로 공정이 진행됨

일정한 혼합비율로 세정액을 혼합하여 일정 시간 사용하고 일정 시간이 지나면 배출시킴

약액조와 세정조, 그리고 Dryer를 이동하며 세정을 함

 

Centrifugal Spray Type

Wafer가 Spray Column 주위를 빠른 속도로 회전하고, Spray Column에서 세정액을 분사시켜 세정하는 방식

세정액은 분사되기 바로 직전에 혼합되어 Wafer에 분사되기 때문에 혼합비율이 일정함

약액 분사, 세정, 건조를 닫혀진 Chamber내부에서 처리하기 때문에 오염에 대한 우려가 적음

 

Closed System Type

Centrifugal Spraying 방식과 같이 Wafer를 닫혀진 vessel 내부에서 세정하는 것은 동일하지만, Wafer는 움직이지 않고 고정시켜 놓고, 약액 세정, 세척, 건조하는 방식

DI Heater

 

CLEANING 장비의 주요 모듈

 

Transfer

웨이퍼를 욕조에 이동시키는 것 카세트를 통채로 이동시키는 방법과 웨이퍼 보트에 장착해서 하는 방법

 

Robot Transfer Cycle (Pick-up)-Front View

 

Nozzle

세정공정에서는 다양한 노즐이 존재

 

Jet Nozzle

Megasonic Module

음파를 웨이퍼에 전달해서 웨이퍼 위에 있는 파티클 들을 들뜨게 하여 세정 효과를 높이는 방법

 

CLEANING 장비의 분류

 

Wet CLEANING

Aqueous or Liquid Phase CLEANING

Dip 방식과 Spray 방식으로 나뉨

Dip	Spray
가장 널리 쓰이는 방식	회전하는 Wafer에 Chmical을 분사하여 세정 공정을 진행함
Wafer를 Batch로 Chmical 또는 DIW가 담겨 있는 조에 Dipping 하여 세정 공정을 진행함	Compact, Safe, and Low Cost
Megasonic을 인가하여 세정력 극대화

 

Dry CLEANING

Vapor	Plasma
Chmical의 Vapor를 이용하여 Wafer 표면 세정	Plasma로 Radical, 반응성 Gas를 형성하여 Wafer 표면 세정

 

Brush CLEANING

Roll Brush	Spin Scrubbing
일반적으로 Post-CMP 세정에 사용	주로 CVD, Metal Depo후세정에 적용
강한 Particle 세정력 보유	Gap을 조절하여 Low Damage 조건 사용