05. Track 주요 공정

반도체 제조 공정 장비 운영

 

Photo 공정

Photo 공정 기술은 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 기판에 그려서 집적회로를 만드는 기술

사진 기술을 응용한 것으로 Photo 공정 Photolithography라고 함

포토 공정 반도체 칩을 제조하기 위해 적층식으로 회로를 형성하는데 필요한 공정

Layer 단계마다 필요한 패턴을 Mask를 이용하여 웨이퍼에 전사하는 공정

 

박막증착 - 감광제 도포- 노광 - 현상 - 식각 단계로 이루어짐

마스크 상의 패턴을 웨이퍼 상에서 원하는 모양, 크기, 정렬자리를 구현하며, 이후 식각으로 기하학적 구조를 얻음

 

포토 공정의 흐름도

잘 접착되도록 표면화학처리를 함

소프트베이트 PEB 하드 베이크 - 열처리의 종류이다.

 

웨이퍼 표면 처리 공정

화학제 : HMDS

기판 웨이퍼의 소수성 유지

감광액과 웨이퍼 간의 접착력 증대

플레이트(PLATE)온도: 130℃

 

베이크 공정

액상인 감광액의 화학적 열처리 과정

베이크 공정 3단계 - 소프트 베이크, PEB, 하드 베이크

 

소프트 베이크

플레이트 온도 130℃ 이하

감광액 성분중 용매 제거

원심력에 의한 긴장 완화

 

PEB

플레이트 온도 130℃ 이하

정상파 패턴 프로파일 제거

PR의 굴곡의 원상복귀 시켜주는 열처리

 

하드 베이크

플레이트 온도 110℃ - 120℃

감광액의 고형화, 잔여 용매 및 수분 제거 목적

PR이 견고하게 유지하여 Etch 공정때 견고하게 견딜 수 있도록 열처리 해주는 단계

 

쿨링공정

표면 화학처리와 3단계의 베이크 공정 후 실온까지 온도를 하강하는 과정

후속공정 진행시 열적 손상을 예방함

 

스핀코팅

코팅할 물질의 용액이나 액체 물질을 기질 위에 떨어트리고 고속으로 회전시켜 얇게 퍼지게 하는 코팅 방법(감광액 도포, 현상액 분사)

디스펜서 - 분사

웨이퍼 고정하는 진공축과 진공 펌프

회전하는 스핀들

 

역할

감광액을 노즐로 분사하고 스핀 모터의 회전수(RPM)를 조정하여 감광액의 두께 및 웨이퍼 전체에 감광액을 균일하게 도포

웨이퍼 가장자리와 웨이퍼 후면에 도포된 불필요한 감광액 제거 -> 시너린스(Thinner Rinse) 처리

후속공정에서 Particle 형성해서 Device의 안좋은 영향 방지

 

특징

감광액의 도포 두께는 모터 회전수와 감광액의 점성도에 의존함

감광액의 도포 균일도는 쿨링 온도, 감광액 온도, 도포 환경의 배기압, 온/습도 등에 의존함